手机评测:随着AMD稳定在7纳米制造工艺 台积电推出了6纳米的制造工艺

时间:2021-08-25 16:03:54 来源:

手机评测:随着AMD稳定在7纳米制造工艺 台积电推出了6纳米的制造工艺

灰尘从来没有时间适应技术,如果我们谈论半导体和芯片工厂,灰尘是一件坏事 - 这是你看到工程师穿着全身套装的图片的原因之一,也就是所谓的洁净室套装。不过,我们不是在谈论工程服装。相反,我们来讨论台积电推出的6纳米制造工艺。

随着三星宣布推出自己的6纳米光刻胶带和开发5纳米FinFET(现已准备好向客户提供样品),台积电宣布了这一消息。

有关台积电宣布的有趣之处在于它已经开始研发5nm。实际上,5nm处于所谓的风险生产阶段,这基本上意味着可能存在需要调整的问题,但它是可用的。6纳米计划于2020年第一季度开始风险生产。

那么,如果台积电已经开始使用5nm,6nm的重点是什么呢?这是一个很好的问题,我有两个可能的答案彼此相关。让我们从第一个开始吧。

台积电的6nm节点不需要新设备。这是“从基于N7的设计直接迁移”。

“其设计规则与台积电经过验证的N7技术完全兼容,可以重复使用其全面的设计生态系统。因此,它提供了无缝的移植路径,设计周期快,工程资源非常有限,客户可以获得产品优势来自新技术产品,“台积电解释说。

为客户带来的好处是N6(6nm)比N7(第一代7nm)提供高出18%的逻辑密度,允许将更多晶体管封装在同一空间内的设计,以实现更好的性能和更低的功耗。所以从表面上看,N6的目的是为TSMC的客户提供相当经济的升级途径,超过7nm。

这是第1号答案。第二个可能的答案是营销。命名工艺节点并没有严格的规则 - 例如,英特尔的10纳米大致相当于台积电的7纳米。台积电的6nm节点可能只是调整其7nm +(N7 +)节点。与AMD的Zen 2(Ryzen 3000)所基于的N7 +一样,新的N6节点利用了极紫外(EUV)光刻的新功能(与N7的深紫外线或DUV光刻相反)。

如果是这种情况,台积电可能刚刚称之为7nm ++(N7 ++),因为它基本上是7nm,具有更高的晶体管密度。但是,嘿,6nm听起来更好。也许台积电在16纳米到12纳米的过渡后学到了一些关于营销数字的东西。

无论如何,台积电预计其6nm节点将用于各种应用,从GPU和高性能计算,到人工智能和5G基础设施等。

仅仅存在台积电的N6以及N7和N5再次指出缩小微处理器制造技术的难度。随着晶体管变小,单一规则集不一定能提供最佳结果。这可能是台积电,三星,GlobalFoundries和英特尔提供多种同步选项的部分原因。

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