手游评测：三星的新款HBM2E内存为64GB显卡铺平了道路

三星本周在Nvidia的GPU技术大会(GTC)上推出了新的高带宽内存(HBM2E)产品，声称它比上一代HBM2快33%。同样重要的是，它是一个更密集的解决方案，从理论上讲，它可以使显卡具有比目前通常可用的更大的内存缓冲区。

被称为“Flashbolt”的三星表示，其每个引脚的HBM2E内存可达到每秒3.2吉比特(Gbps)。它的每个芯片密度为16千兆位(Gb)，是上一代容量的两倍，并且是八个堆叠。这相当于一个16千兆字节(GB)的包。在1,024位总线上为3.2Gbps，单个封装提供高达410GB / s的内存带宽。

事情变得有趣的地方在于更大规模地处理数字。正如我们在AnandTech的朋友指出的那样，通过在4,096位内存总线上使用四个带有处理器的Flashbolt软件包，我们正在寻找具有1.64TB / s峰值带宽的64GB内存。

为了说明这一点，AMD最近推出的Radeon VII采用16GB的HBM2内存，内存带宽为1TB / s。这是通过使用四个内存堆栈而不是像Flashbolt提供的单个堆栈来实现的。

“Flashbolt业界领先的性能将为下一代数据中心，人工智能，机器学习和图形应用提供增强的解决方案，”三星电子内存产品规划和应用工程团队高级副总裁Jinman Han表示。“我们将继续扩大我们的优质DRAM产品，并改善我们的'高性能，高容量，低功耗'内存部分，以满足市场需求。”

换句话说，显卡是公平的游戏，虽然更直接的市场可能是专业加速器而不是消费者游戏解决方案。尽管如此，这些东西必须从某个地方开始，并且在进入消费者领域之前，尖端技术在服务器和数据中心首次亮相并不罕见。

当然，缺点是价格。HBM2对GDDR5 / 6来说比较昂贵。一般来说，提供更密集的解决方案可能会降低HBM2的价格，但并不是说GDDR内存会突然消失。

三星没有透露什么时候开始批量生产HBM2E。